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| 射频溅射a-Si:H薄膜的光诱导Si-H键 | |
| 引用本文： | 章佩娴,朱琼瑞.射频溅射a-Si:H薄膜的光诱导Si-H键[J].中山大学学报(自然科学版),1983(3). |
| 作者姓名： | 章佩娴 朱琼瑞 |
| 作者单位： | 中山大学物理学系 (章佩娴)，中山大学物理学系(朱琼瑞) |
| 摘 要： | 本文报告射频溅射非掺杂a-Si:H溥膜的一个新效应——光诱导Si—H键变化。在长时间强光照后,样品的红外振动光谱中Si—H 键三个振动模(600cm~(-1),800cm~(-1),2000cm~(-1))的积分强度同时按相同的比例显著增强,变化达34%.光诱导Si—H 键变化可以通过热退火得到恢复.样品的光诱导电导率和自旋信号的变化也进行了测量,发现Si—H 键积分强度随光照时间的变化规律与光诱导电导率的变化规律相似.本文提出一个简单的模型对此现象作出定性的解释. |
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