| Si1－ZGeZ基区杂质和Ge组份分布对HBT基区渡越时间的影响 |
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| 引用本文： | 张万荣,曾峥,罗晋生,西安交通大学. Si1－ZGeZ基区杂质和Ge组份分布对HBT基区渡越时间的影响[J]. 西安交通大学学报, 1996, 0(8) |
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| 作者姓名： | 张万荣 曾峥 罗晋生 西安交通大学 |
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| 作者单位： | Xian Jiaotong University，710049，Xian |
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| 基金项目： | 国家教委博士点基金资助项目 |
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| 摘 要： | 在Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ中，Ｇｅ组份Ｚ缓变（进而能隙缓变）产生自建电场，基区杂质浓度向发射极侧的减小产生了阻滞电场，基区杂质浓度向集电极侧的减小产生了加速电场．文中研究了这些电场对基区渡越时间的影响．研究结果表明，随基区发射极侧杂质浓度的不同，因阻滞电场而产生的延迟时间占基区总渡越时间的４０％～８０％．同时还发现，选用无阻滞电场产生的基区杂质分布，采用大的Ｇｅ组份线性缓变和利用集电结空间电荷区电子速度过冲效应，可望得到截止频率大于１００ＧＨｚ的Ｓｉ１－ＺＧｅＺ基区ＨＢＴ
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管（HBT） 基区渡越时间 应变层 |
EFFECTS OF DOPING AND Ge FRACTION PROFILE IN THE Si 1-Z Ge Z BASE ON THE BASE TRANSIT TIME OF HBTs |
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| Zhang Wanrong Zeng Zheng Luo Jinsheng. EFFECTS OF DOPING AND Ge FRACTION PROFILE IN THE Si 1-Z Ge Z BASE ON THE BASE TRANSIT TIME OF HBTs[J]. Journal of Xi'an Jiaotong University, 1996, 0(8) |
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| Authors: | Zhang Wanrong Zeng Zheng Luo Jinsheng |
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| Keywords: | heterojunction bipolar transistor(HBT) base transit time SiGe strained layer |
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