| 关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试 |
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| 引用本文： | 张宏,张宏庆,范军,沈桂芬.关于GCNMOS的ESD保护电路的HBM的分析测试[J].辽宁大学学报(自然科学版),2005,32(2):124-126. |
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| 作者姓名： | 张宏 张宏庆 范军 沈桂芬 |
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| 作者单位： | 辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036;辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036;辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036;辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036 |
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| 摘 要： | 静电放电(electrostatic discharge，ESD)是造成大多数的集成电路(integrated circuits，ICs)或电子系统受到过度电性应力(electrical overstress，EOS)破坏的主要原因。而HBM(human boby model)是ESD破坏IC的最常见的一种方式．因此要在IC中加入相关的保护电路，对一种GCNMOS(gate-couple NMOS)的保护电路进行详细的分析与测试。
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| 关 键 词： | 静电放电 人体模型 GCNMOS |
| 文章编号： | 1000-5846(2005)02-0124-03 |
The Analyse and Test of HBM of ESD Protection Circuit Based on GCNMOS |
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| ZHANG Hong,ZHANG Hong-qing,FAN Jun,SHEN Gui-fen.The Analyse and Test of HBM of ESD Protection Circuit Based on GCNMOS[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2005,32(2):124-126. |
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| Authors: | ZHANG Hong ZHANG Hong-qing FAN Jun SHEN Gui-fen |
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| Abstract: | ESD is the major reason that results in failure of many Integrated Circuits and Electronic System influenced by Electrical Overstress. So protection circuit is necessary to IC. The paper analyses and tests protection circuit of GCNMOS. |
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| Keywords: | ESD HBM GCNMOS |
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