| CHF3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析 |
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| 引用本文： | 崔进,刘卉敏,邓艳红,叶超.CHF3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析[J].苏州大学学报(医学版),2011,27(1). |
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| 作者姓名： | 崔进 刘卉敏 邓艳红 叶超 |
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| 作者单位： | 江苏省薄膜材料重点实验室,苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州215006 |
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| 摘 要： | 通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度以及传递到SiCOH薄膜表面的能量是决定SiCOH薄膜刻蚀的主要因素,符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO2薄膜模型.在等离子体空间的CF2基团浓度较低、F基团浓度较高时,并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时,SiCOH薄膜表面沉积的C:F薄膜层较薄,有利于等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面,从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应几率增大,实现SiCOH薄膜的有效刻蚀.
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| 关 键 词： | SiCOH薄膜刻蚀 CHF3等离子体 双频电容耦合放电 |
Analysis on etching of SiCOH low-k films by CHF3 dual-frequency capacitively coupled plasma |
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| Cui Jin,Liu Huimin,Deng Yanhong,Ye Chao.Analysis on etching of SiCOH low-k films by CHF3 dual-frequency capacitively coupled plasma[J].Journal of Suzhou University(Natural Science),2011,27(1). |
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| Authors: | Cui Jin Liu Huimin Deng Yanhong Ye Chao |
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