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| 优化VDMOSFET体二极管的方法与意义 | |
| 引用本文： | 张朝杰.优化VDMOSFET体二极管的方法与意义[J].科技信息,2007(33):96-96,137. |
| 作者姓名： | 张朝杰 |
| 作者单位： | 许昌学院 04级电子信息工程本科二班河南许昌416000 |
| 摘 要： | 垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构中包含一个由p阱和n-漂移区构成的寄生二极管。本文就当前同步整流DC/DC转换器中大功率VDMOSFET体二极管导电导致的功率损失问题进行了较细致地分析,就减小体二极管反向恢复电荷问题进行了研究。在此基础上,提出了优化VDMOSFET体二极管的意义,在不改变工艺流程的前提下,给出了优化设计方法。 |
| 关 键 词： | 功率MOSFET 功率VDMOSFET 体二极管 优化 |
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