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| 多层非晶硅结构研究的新方法——电子显微术 | |
| 引用本文： | 温树林.多层非晶硅结构研究的新方法——电子显微术[J].科学通报,1985,30(20):1588-1588. |
| 作者姓名： | 温树林 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所，中国科学院上海硅酸盐研究所，中国科学院上海硅酸盐研究所，美国芝加哥大学James Franck研究所 |
| 摘 要： | 由非晶硅氢(a-Si:H)和硅氮氢(a-SiN_x:H)交替超薄层构成的多层结构,是一种二维半导体材料,在物理上,是极为有趣的。更有趣的是,当a-Si:H很薄时,该材料的光隙明显地增加,还发现,电荷载流子从低功函数层向高功函数层流动时产生空间电荷掺杂效应。 对非晶硅氢结构已进行过许多研究。本工作的目标,在于使用高分辨电子显微镜直接 |
| 收稿时间： | 1984-11-29 |
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