| 深亚微米SOI MOSFET阈值电压特性研究 |
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| 引用本文： | 龚仁喜,蒋超,邓艳. 深亚微米SOI MOSFET阈值电压特性研究[J]. 广西大学学报(自然科学版), 2004, 29(Z1): 63-65 |
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| 作者姓名： | 龚仁喜 蒋超 邓艳 |
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| 作者单位： | 广西大学,电气工程学院,广西,南宁,530004 |
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| 基金项目： | 广西自然科学基金(桂科自0339014)资助 |
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| 摘 要： | 在建立SOI MOSFET阈值电压模型的基础上,对其阈值电压特性进行了研究,分析了阈值电压与硅膜掺杂浓度、前栅、背栅氧化层厚度、温度的关系.
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| 关 键 词： | SOI MOSFET 阈值电压 模型 |
| 文章编号： | 1001-7445(2004)增-0063-03 |
| 修稿时间： | 2004-05-12 |
A study of threshold-voltage characteristics for deep sub-micron SOI MOSFET |
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| GONG Ren-xi,JIANG Chao,DENG Yan. A study of threshold-voltage characteristics for deep sub-micron SOI MOSFET[J]. Journal of Guangxi University(Natural Science Edition), 2004, 29(Z1): 63-65 |
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| Authors: | GONG Ren-xi JIANG Chao DENG Yan |
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| Abstract: | On the basis of the establishment of the model of the threshold voltage for deep sub-micron SOI MOSFET, a study of the threshold voltage characteristics is made, and an analysis of the effect of the silicon film doping concentration and thickness, the thickness of the front and back gate oxide, the temperature on the threshold voltage is performed. |
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| Keywords: | SOI MOSFET Threshold-voltage model |
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