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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
半导体器件自适应测试参数调节
作者姓名:
乐其中
作者单位:
上海交通大学电子信息与电器工程学院,上海,200240
摘 要:
本文根据生产中实际案例,在DFT设计的基础之上,为Intel公司65nm NOR闪存芯片的一种特殊失效模式设计了一种独特的测度方法,同时提出了测试参数根据产品本征特性自适应调节的概念。
关 键 词:
测试
DFT
自适应
测试效率及有效性
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