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| Si亚微米MOSFET蒙特卡罗模拟中散射机制的研究 | |
| 作者姓名： | 董立亭 |
| 作者单位： | 贵州大学电子科学系2004级研究生班,贵州贵阳,550025 |
| 摘 要： | 讨论了用蒙特卡罗法模拟半导Si内电子输运现象的散射机制，探讨并确定自由飞行时间的自散射方法，模拟电子在不同高场下的输运过程，并分析了速度过冲效应产生的原因。 |
| 关 键 词： | Monte Carlo方法 自由飞行时间 散射机制 亚微米半导体器件 |
| 文章编号： | 1672-2345(2006)12-0048-04 |
| 收稿时间： | 2006-10-26 |
| 修稿时间： | 2006-10-26 |
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