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| He+注入诱生微孔对金吸除作用的研究 | |
| 引用本文： | 李恒,唐有青,游志朴.He+注入诱生微孔对金吸除作用的研究[J].四川大学学报(自然科学版),2003,40(1):86-89. |
| 作者姓名： | 李恒 唐有青 游志朴 |
| 作者单位： | 四川大学物理系,成都,610064 |
| 摘 要： | 高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔，对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实。作者报道了该技术应用于平面二极管理中对金杂质吸除的研究，其结果表明，在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔，同样具有良好的吸除效果。 |
| 关 键 词： | He^＋注入诱生微孔 金 吸除作用 反向漏电流 微孔吸杂技术 氦 硅 金属杂质 平面二极管 |
| 文章编号： | 0490-6756(2003)01-0086-04 |
Study of Gettering Efficiency of Au to Voids Induced by He+ Implantation |
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| Abstract: | |
| Keywords: | void Au gettering leakage current |
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