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| 氧化锌薄膜的p型掺杂及光学和电学性质 | |
| 作者姓名： | 李梦婷 张文雪 |
| 作者单位： | 长安大学材料学院 陕西西安 710064 |
| 摘 要： | 氧化锌属于一种直接带隙宽半导体材料,具备较小的玻尔半径及较大的激子束缚能,在短波长光电子器件研究领域具备较好的应用前景,对于提高光信息存取速度与光记录密度具有重要意义.在氧化锌薄膜形成过程中,将活性原子N掺入可以有效得到p-ZnO薄膜,对p型掺杂情况进行判断,根据结构设计制备出具备良好电学特性的ZnO同质p-n结,经观察发现,这种结构具备良好的伏安特性曲线,通过实验证明,p-ZnO具有很好的潜在应用价值,对实现ZnO光电器件实用化存在着极为重要的作用. |
| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 p型掺杂 光学 电学 性质 |
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