存贮时间内集区空穴的有效寿命

本文提出集成电路晶体管在存贮时间内集区空穴有效寿命的概念。就集区杂质均匀分布和薄外延条件,通过求解空穴瞬态连续性微分方程,得到了存贮时间内集区空穴有效寿命的简易表达式。经过计算机数值解证明这一公式原则上也适用集区杂质分布不均匀(有埋层)的情况。