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电沉积制备氮化钴纳米片超级电容器
引用本文:吕凤娟,曹雨晨,朱楠. 电沉积制备氮化钴纳米片超级电容器[J]. 大连理工大学学报, 2021, 61(6): 551-556. DOI: 10.7511/dllgxb202106001
作者姓名:吕凤娟  曹雨晨  朱楠
作者单位:大连理工大学张大煜(化学)学院,辽宁大连 116024
基金项目:国家自然科学基金资助项目(22074010);大连市科技创新基金资助项目(2019J12SN54).
摘    要:采用一种简单的电化学沉积和退火方法,实现了在碳布基底上碳氮结构修饰氮化钴(CC@Co2 N@CN)材料的制备,并将其用于高性能超级电容器.氮化钴表面修饰的碳氮结构不仅可以提高整个电极的电容,而且可以缓解氮化钴的氧化,从而提高整体的导电性能.同时,CC@Co2 N@CN表现出极长的寿命,在10000次循环后容量仍能保持其初始值的77%.在电流密度为1 m A·cm-2时,该电极的面积电容最高可达429.4 m F·cm-2.因为具有较大的面积电容和良好的循环稳定性能,此类基于碳布基底的氮化钴碳氮结构超级电容器在储能领域具有广阔的应用前景.

关 键 词:氮化钴  碳氮结构  超级电容器

Electrodeposition of cobalt nitride nanosheet for supercapacitors
Lü Fengjuan,CAO Yuchen,ZHU Nan. Electrodeposition of cobalt nitride nanosheet for supercapacitors[J]. Journal of Dalian University of Technology, 2021, 61(6): 551-556. DOI: 10.7511/dllgxb202106001
Authors:Lü Fengjuan  CAO Yuchen  ZHU Nan
Abstract:
Keywords:
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