| p—Si单晶低表面复合速度的获得 |
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| 引用本文： | 颜永美. p—Si单晶低表面复合速度的获得[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 2001, 40(5): 1045-1050 |
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| 作者姓名： | 颜永美 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系, |
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| 摘 要： | 提出减低p-Si单晶表面复合速度参数值的两个有效的方法，解释了其不同的作用机理。实验表明，经HF腐蚀处理过的p-Si单晶，自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低1个量级以上；而对于同一p-Si单晶，置于氮气氛围之中的测算值要比大气之中的测算值低2个量级以上。
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| 关 键 词： | p－Si单晶 低表面复合速度 半导体 表面性质 电学性能 氟化氢腐蚀 |
| 文章编号： | 0438-0479(2001)05-1045-06 |
| 修稿时间： | 2001-05-08 |
Acquisition of Low Surface Recombination Velocity on Surface of p-type Si |
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| YAN Yong mei. Acquisition of Low Surface Recombination Velocity on Surface of p-type Si[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 2001, 40(5): 1045-1050 |
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| Authors: | YAN Yong mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-type Si single crystal low surface recombin ation velocity |
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