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GaAs/GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器
引用本文:王立军 Sala.,RP.GaAs/GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器[J].吉林大学自然科学学报,1994(1):49-51.
作者姓名:王立军 Sala.  RP
摘    要:本文对具有金肖特基势垒电极的GaAs/GaAlAs双异质结脊型波导无间距方向耦合器进行了研究。通过合理设计器件结构,降低波导层中载流子浓度,适当控制脊高和包层中Al含量以及采用剥离掩膜,反应离子蚀刻等技术使器件总损耗降为12.2dB,串音达-25.9dB。

关 键 词:光耦合器  GaAs/GaAlAs
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