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杂志ISSN号
LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格
作者姓名:
杨树人 崔敬忠
摘 要:
本文探讨了LP-MOVPE法在GaAs和InP衬底上生长21个周期的InGaAs/GaAs和20个周期的InGaAs/InP两种应变超晶格的条件,并用X射线衍射分析了这两种应变超晶格,分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。
关 键 词:
LP-MOVPE 铟镓砷 应变超晶格
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