| GaAs中杂质扩散机制 |
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| 引用本文： | 孙继忠 宋远红. GaAs中杂质扩散机制[J]. 大连理工大学学报, 1997, 37(2): 166-171,181 |
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| 作者姓名： | 孙继忠 宋远红 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 针对杂质在ＧａＡｓ中扩散机制这一基础研究和技术应用中急需解决的问题，主要介绍了应用广泛的ｎ型杂质Ｓｉ、Ｓｎ，ｐ型杂质Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ的几种可能扩散机制以及国际上有关这些杂质研究的进展情况，从目前的研究状况可以得出这样的结论：在ＧａＡｓ中，Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等ｐ型杂质是以置换填隙机制扩散的，Ｓｉ、Ｓｎ等ｎ型杂质是以替位机制扩散的。
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| 关 键 词： | 砷化镓 杂质 扩散机制 化合物半导体 |
Diffusion mechanisms of impurities in GaAs |
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| Sun Jizhong,Song Yuanhong. Diffusion mechanisms of impurities in GaAs[J]. Journal of Dalian University of Technology, 1997, 37(2): 166-171,181 |
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| Authors: | Sun Jizhong Song Yuanhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | gallium arsenide impurities/diffusion mechanism |
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