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高精度低功耗快速启动带隙基准电路设计
引用本文:雷(钅监)铭,张涛,李思臻,邹雪城. 高精度低功耗快速启动带隙基准电路设计[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 2008, 36(11)
作者姓名:雷(钅监)铭  张涛  李思臻  邹雪城
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系
基金项目:国家高技术研究发展计划资助项目,湖北省自然科学基金资助项目
摘    要:提出一种能够明显减小电流失配误差的新颖带隙基准核心结构,结合低功耗设计方法和一种全新的启动方式,实现了整个带隙基准电路超低功耗和快速启动的功能.基于JAZZ BCD 0.5μm工艺库模型,采用Spectre仿真器进行了仿真验证,结果显示,在电源电压VCC工作范围2.5~6.0 V内,带隙电压的变化为0.06mV;在VCC=3.6 V,温度范围为-25~100℃时,带隙电压精度为17.5μV/℃;典型工作状态下(VCC=3.6V,t=25℃),整个电路静态电流仅为3.71μA,启动时间为23μs.

关 键 词:集成电路  带隙基准  温度补偿  高精度  低功耗

High accuracy low power fast set-up bandgap reference circuit design
Lei Jianming Zhang Tao Li Sizhen Zou Xuecheng. High accuracy low power fast set-up bandgap reference circuit design[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 2008, 36(11)
Authors:Lei Jianming Zhang Tao Li Sizhen Zou Xuecheng
Abstract:
Keywords:integrated circuit  bandgap reference  temperature compensation  high accuracy  low power
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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