用失配电容对提高数控LC振荡器调频率精度

为了提高基于LC的数控振荡器(DCO)的调频精度,提出一种失配电容对跨接数控变容管结构。该结构利用2个失配电容对对CMOS变容管的最小有效变容值进行缩小变换,使得数字信号可控的最小电容值大大降低。为验证该结构,该文采用中芯国际(SMIC)0.18μm工艺库,在Spectre中对基于该文结构的数控振荡器在不使用ΣΔ调制技术的前提下进行仿真。实验结果表明:该文提出的数控变容结构能使中心频率为3.4 GHz的DCO实现3 kHz的调频精度,还能使调频精度的提高不依赖于工艺库特征尺寸。