| GaAs（001）衬底上经双缓冲层生长的Hg1—xCdxTe—HgTe超晶格结构 |
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| 引用本文： | 刘义族,于福聚.GaAs（001）衬底上经双缓冲层生长的Hg1—xCdxTe—HgTe超晶格结构[J].天津师范大学学报(自然科学版),2001,21(3):39-42. |
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| 作者姓名： | 刘义族 于福聚 |
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| 作者单位： | [1]天津师范大学物理与电子信息学院，天津300074 [2]中国科学院上海技术物理研究所，上海200083 |
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| 摘 要： | 用X－射线衍射测定了分析束外延（MBE）法生生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格样品在（001）附近的扫描徊摆曲线，并用动力学理论模拟计算出衍射曲线，产验曲线与理论计算基本上相符合，由实验衍射曲线计算出的超晶格周期长度，阱HgTe层厚度及垒Hg1-xCdxTe层厚度与模拟计算的相一致，用透射电子显微镜（TEM）对同一样品的横截面进行了分析，对CdTe/ZnTe/GaAs异质结界面失配位错的组态特征进行了研究，证明用CdTe/ZnTe作为双缓冲层比单一的CdTe有较好的效果，截面TEM稿分辨率明场象显示Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格的生长较为成功，界面较为平整，由截面TEM高分辨明场象观测的周期长度与X－射线衍射测定的结果相接近。
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| 关 键 词： | 分子束外延法 Hg1－xCdxTe－HgTe超晶格 CdTe／ZnTe／GaAs异质结 双缓冲层生长 晶格结构 晶格生长 |
| 文章编号： | 1671-1114(2001)03-0039-04 |
| 修稿时间： | 2001年4月13日 |
GaAs
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