| 开放式电阻抗成像中变差正则化重构算法 |
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| 作者姓名： | 黄嵩 何为 罗辞勇 |
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| 作者单位： | 重庆大学 电气工程学院;输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室,重庆400044;重庆大学 电气工程学院;输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室,重庆400044;重庆大学 电气工程学院;输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室,重庆400044 |
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| 基金项目： | 国家高技术发展(863计划)资助项目(2006AA02Z4B7) |
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| 摘 要： | 采用单排固定电极模式的开放式电阻抗成像(open electrical impedance tomography, OEIT)克服封闭式电阻抗成像在临床运用中重构模型适应性差、电极定位误差大以及操作简便性差等弊病。针对OEIT逆问题求解中更加严重的病态性问题,提出以变差函数作为罚函数项的变差正则化算法获得适定的重构解。仿真实验和水槽实验表明：变差正则化算法可有效求解OEIT重构的逆问题,重构图像能够正确反映位于电极下浅表层区域的目标位置、大小,并在一定程度上反映电导率的相对值。OEIT以其简便快速而更具潜在的临床实用价值。
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| 关 键 词： | 电阻抗成像 开放式电阻抗成像 逆问题 变差函数 正则化 |
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