考虑制程变异的全芯片漏电流统计分析

为了解决在制程变异的影响下,全芯片漏电流很难被验证的难题,提出了基于新的漏电流模型的统计分析算法。建立了一个亚阈值漏电流模型以及它的参数提取方法。该模型不仅包含了小尺寸器件的量子效应和应力效应,而且能够很好地与实验数据拟合。对65 nm工艺节点下由于制程变异而引起的亚阈值漏电流波动表明,主要的变异源为有效沟道长度和阈值电压的变化模型和对变异源的研究,验证了全芯片漏电流。模拟结果和实际电路测试结果的比较,证明了该算法的正确性和有效性。