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| 阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究 | |
| 引用本文： | 梁立欢,李卓昕,王宝义,吴伟明.阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究[J].广西大学学报(自然科学版),2011,36(5):863-866. |
| 作者姓名： | 梁立欢 李卓昕 王宝义 吴伟明 |
| 作者单位： | 1. 广西大学 物理科学与工程技术学院,广西南宁530004;中国科学院高能物理研究所 核分析技术重点实验室,北京100049 2. 中国科学院高能物理研究所 核分析技术重点实验室,北京,100049 3. 广西大学 物理科学与工程技术学院,广西南宁,530004 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10835006,10705031) |
| 摘 要： | 使用正电子湮没寿命谱仪和真空紫外荧光光谱仪,对不同电流密度腐蚀条件下制备的多孔硅进行微结构及发光性能的表征,通过正电子湮没方法研究多孔硅微结构对多孔硅光致发光性能的影响.实验结果表明,随着腐蚀电流密度的增大,电子偶素在样品中的pick-off湮没寿命先增大后减小,同时样品的发光强度显示出相同趋势.可以推断,在腐蚀电流密... |
| 关 键 词： | 多孔硅 正电子湮没 电流密度 量子限制 阳极腐蚀 |
Positron annihilation technique study of porous silicon prepared by anodization methods |
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| LIANG Li-huan,LI Zhuo-xin,WANG Bao-yi,WU Wei-ming.Positron annihilation technique study of porous silicon prepared by anodization methods[J].Journal of Guangxi University(Natural Science Edition),2011,36(5):863-866. | |
| Authors: | LIANG Li-huan LI Zhuo-xin WANG Bao-yi WU Wei-ming |
| Institution: | LIANG Li-huan1,2,LI Zhuo-xin2,WANG Bao-yi2,WU Wei-ming1(1.College of Physics Science and Technology,Guangxi University,Nanning 530004,China,2.Key Laboratory of Nuclear Analysis Techniques,Institute of High Energy Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | porous silicon positron annihilation current density quantum confinement anodic corrosion |
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