| 基于PHEMT工艺的5 GHz锁相环芯片 |
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| 引用本文： | 程树东,郁炜嘉,朱恩,王雪艳,沈祯,王志功.基于PHEMT工艺的5 GHz锁相环芯片[J].东南大学学报(自然科学版),2004,34(2):157-160. |
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| 作者姓名： | 程树东 郁炜嘉 朱恩 王雪艳 沈祯 王志功 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096;东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 给出了基于0.2 μm砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺设计的高速锁相环芯片的电路结构、性能分析与测试结果.芯片采用吉尔伯特结构的鉴相器和交叉耦合负阻差分环形压控振荡器,总面积为1.15 mm×0.75 mm.锁定时中心工作频率为4.44 GHz,锁定范围约为360 MHz,在100 kHz频偏处的单边带相位噪声约-107 dBc/Hz,经适当修改后可应用于光纤通信系统中的时钟数据恢复电路.
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| 关 键 词： | 锁相环 鉴相器 压控振荡器 砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺 |
| 文章编号： | 1001-0505(2004)02-0157-04 |
5 GHz PLL chip using PHEMT technology |
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| Cheng Shudong,Yu Weijia,Zhu En,Wang Xueyan,Shen Zhen,Wang Zhigong.5 GHz PLL chip using PHEMT technology[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),2004,34(2):157-160. |
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| Authors: | Cheng Shudong Yu Weijia Zhu En Wang Xueyan Shen Zhen Wang Zhigong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PLL phase detector VCO GaAs PHEMT-technology |
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