二维过渡金属二硫化物的能带调控 |
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作者姓名: | 吕倩 马翰原 吕瑞涛 |
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作者单位: | 1. 清华大学材料学院,先进材料教育部重点实验室;2. 清华大学材料学院,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 |
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基金项目: | 国家重点研发计划(2021YFA1200803);;国家自然科学基金(51972191)资助; |
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摘 要: | 二维过渡金属二硫化物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)因其原子级平坦的表面、可调的能带结构等优势而在光学、电学、热学等领域受到广泛关注,并且为解决传统硅基晶体管尺寸进一步微缩面临的挑战提供了新的机遇.能带工程是调控二维TMDCs材料电子结构并研究其物理学特性的重要手段.本文从本征调控和外部调控两个方面综述了近年来二维TMDCs材料中的能带调控策略,主要包括本征层数调控、零维点缺陷调控(晶格空位构筑、掺杂/合金化)、施加应变、构筑异质结等.在现有研究成果的基础上,对未来的研究方向进行了展望.
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关 键 词: | 二维材料 过渡金属二硫化物 能带调控 物理特性 |
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