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| 采用肖特基二极管测量外延层杂质分布 | |
| 作者姓名： | 万怡宏 朱纯孝 |
| 作者单位： | 北京大学电子仪器厂 半导体专业70届工农兵学员(万怡宏)，北京大学电子仪器厂 半导体专业70届工农兵学员(朱纯孝) |
| 摘 要： | 气相化学反应的硅外延生长,被广泛地用来制造半导体集成电路、晶体管及其它各种半导体器件。硅外延生长的电阻率或杂质浓度对于上述应用的电学参数影响很大,如击穿电压、收集极串连电阻都是由它直接决定的。另外,新发展起来的超高速逻辑电路等则要求外延生长层在3μ左右,所以更必须注意理层的反扩散、自身掺杂等影响引起 |
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