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| 射频溅射法研制SnO2纳米薄膜 | |
| 引用本文： | 刘庆业,蒙冕武,邓希敏,刘明登.射频溅射法研制SnO2纳米薄膜[J].广西师范大学学报(自然科学版),2001,19(4):64-67. |
| 作者姓名： | 刘庆业 蒙冕武 邓希敏 刘明登 |
| 作者单位： | 广西师范大学资源与环境学系, |
| 摘 要： | 采用射频溅射工艺制得细小均匀的β－Sn纳米锡膜，然后通过氧化处理工艺获得组织非常细小均匀的纳米级二氧化锡薄膜。X－衍射实验结果表明Sn和SnO2晶粒尺寸分别约为6nm和5nm，采用该工艺获得的SnO2纳米薄膜结构比较稳定，为薄膜型SnO2气敏元件新工艺研究提供了基础性资料。 |
| 关 键 词： | 射频溅射 SnO2 二氧化锡薄膜 纳米材料 制备工艺 |
| 文章编号： | 1001-6600(2001)04-0064-04 |
| 修稿时间： | 2001年7月9日 |
The study of the nanocrystalline thin film SnO2 prepared by RF-sputtering |
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