| 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响 |
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| 引用本文： | 林晓玲,侯通贤,章晓文,姚若河. 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响[J]. 华南理工大学学报(自然科学版), 2011, 39(3): 135-139. DOI: 10.3969/j.issn.1000-565X.2011.03.026 |
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| 作者姓名： | 林晓玲 侯通贤 章晓文 姚若河 |
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| 作者单位： | 1. 华南理工大学,电子与信息学院微电子研究所,广东广州,510640
2. 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东广州,510640 |
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| 摘 要： | 基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成...
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| 关 键 词： | Cu/低-k互连 应力诱生空洞 工艺波动 通孔微结构 |
Effect of Via Microstructure on Cu/low-k Stress-Induced Voiding |
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| Lin Xiao-ling,Hou Tong-xian,Zhang Xiao-wen,Yao Ruo-he. Effect of Via Microstructure on Cu/low-k Stress-Induced Voiding[J]. Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition), 2011, 39(3): 135-139. DOI: 10.3969/j.issn.1000-565X.2011.03.026 |
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| Authors: | Lin Xiao-ling Hou Tong-xian Zhang Xiao-wen Yao Ruo-he |
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