|
|||||
|
|
| 溅射淀积Inp薄膜的结晶生长结构 | |
| 引用本文： | 黎锡强.溅射淀积Inp薄膜的结晶生长结构[J].科学通报,1990,35(20):1599-1599. |
| 作者姓名： | 黎锡强 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束实验室 上海 |
| 摘 要： | Inp热不稳定性是导致真空热淀积成膜失败的重要原因。虽然射频溅射法已成功制备了大量诸如GaAs,GaP和InAs等Ⅲ—V族化合物薄膜,但无Inp报道。我们首次以Inp晶体作靶,与磷共溅射成功淀积了符合配比的非晶Inp薄膜。本文进一步探讨淀积Inp膜的生长结构。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 | |