| 环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究 |
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| 引用本文： | 肖清泉,谢泉,杨吟野,张晋敏,赵凤娟,杨创华.环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究[J].海南师范大学学报(自然科学版),2008,21(2):148-152. |
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| 作者姓名： | 肖清泉 谢泉 杨吟野 张晋敏 赵凤娟 杨创华 |
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| 作者单位： | 贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州,贵阳,550025 |
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| 摘 要： | 运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算,结果表明,Ca2Si材料为直接带隙类型材料,计算值比实验测量值小.Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的3p态构成;Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成,硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多.
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| 关 键 词： | 环境半导体材料 Ca2Si 电子结构 |
Study on electronic structure of ecological semiconductor material Ca2Si |
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| Xiao Qingquan,Xie Quan,Yang Yinye,Zhang Jinmin,Zhao Fengjuan,Yang Chuanghua.Study on electronic structure of ecological semiconductor material Ca2Si[J].Journal of Hainan Normal University:Natural Science,2008,21(2):148-152. |
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| Authors: | Xiao Qingquan Xie Quan Yang Yinye Zhang Jinmin Zhao Fengjuan Yang Chuanghua |
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