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Cu/MgO界面结构的高分辨电子显微镜研究
引用本文:刘红荣,蔡灿英,杨奇斌,王岩国.Cu/MgO界面结构的高分辨电子显微镜研究[J].湘潭大学自然科学学报,2002,24(4):26-28,36.
作者姓名:刘红荣  蔡灿英  杨奇斌  王岩国
作者单位:1. 湘潭大学现代物理研究所,湖南,湘潭,411105
2. 中国科学院物理研究所,北京电子显微镜实验室,北京,100080
基金项目:国家自然科学基金资助项目 (10 0 740 5 2 )
摘    要:利用高分辨透射电子显微镜对内部氧化Cu/Mg合金产生的Cu/MgO界面进行了研究,观察到了一种新的取向关系,这种取向关系不同于通常观察到的两晶胞取向完全一致的简单关系。而且对界面的结构和位错进行了研究,发现两位错线之间的距离与O点阵理论符合得很好。

关 键 词:Cu/MgO  界面  高分辨电子显微镜  金属/氧化物  位错  原子结构    氧化镁  晶格常数
文章编号:1000-5900(2002)04-0026-03

Study of Cu-MgO Interface by High Resolution Electron Microscope
LIU Hongrong ,CAI Canying ,YANG Qibin ,WANG Yanguo.Study of Cu-MgO Interface by High Resolution Electron Microscope[J].Natural Science Journal of Xiangtan University,2002,24(4):26-28,36.
Authors:LIU Hongrong  CAI Canying  YANG Qibin  WANG Yanguo
Institution:LIU Hongrong 1,CAI Canying 1,YANG Qibin 1,WANG Yanguo 2
Abstract:The high resolution images of Cu/MgO interface which was prepared by internal oxidation of Cu/Mg alloys were observed by transmission electron microscopy(TEM). A new orientation relationship which is different from cube-on-cube orientation relationship was observed. The interface configurations and dislocation have been analysed according to the theory of O-lattice andthespacing between dislocation lines was determined to agree with the theory of O-lattice.
Keywords:metal/oxide  interface  Cu/MgO  dislocation
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