添加剂离子在热压氮化硅中的扩散行为 |
| |
引用本文: | 王幼文.添加剂离子在热压氮化硅中的扩散行为[J].科学通报,1993,38(22):2108-2108. |
| |
作者姓名: | 王幼文 |
| |
作者单位: | 浙江大学分析测试中心,浙江大学材料科学和工程系,浙江大学材料科学和工程系,浙江大学材料科学和工程系 杭州 310027,杭州 310027,杭州 310027,杭州 310027 |
| |
摘 要: | 氮化硅陶瓷作为高温结构材料引起人们重视已有30多年历史,但是至今人们对热压氮化硅的α→β相变的精确本质未能完全了解.由于制备高质量的氮化硅陶瓷通常必须有氧化物添加剂参与,因而研究添加剂离子在氮化硅中的扩散行为,对于进一步了解α→β相变过程是很必要的.
|
关 键 词: | 氮化硅 热压 扩散形为 陶瓷 添加剂 |
收稿时间: | 1993-02-13 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|