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| 添加剂离子在热压氮化硅中的扩散行为 | |
| 引用本文： | 王幼文.添加剂离子在热压氮化硅中的扩散行为[J].科学通报,1993,38(22):2108-2108. |
| 作者姓名： | 王幼文 |
| 作者单位： | 浙江大学分析测试中心，浙江大学材料科学和工程系，浙江大学材料科学和工程系，浙江大学材料科学和工程系 杭州 310027，杭州 310027，杭州 310027，杭州 310027 |
| 摘 要： | 氮化硅陶瓷作为高温结构材料引起人们重视已有30多年历史,但是至今人们对热压氮化硅的α→β相变的精确本质未能完全了解.由于制备高质量的氮化硅陶瓷通常必须有氧化物添加剂参与,因而研究添加剂离子在氮化硅中的扩散行为,对于进一步了解α→β相变过程是很必要的. |
| 关 键 词： | 氮化硅 热压 扩散形为 陶瓷 添加剂 |
| 收稿时间： | 1993-02-13 |
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