| 超精密表面抛光材料去除机理研究进展 |
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| 引用本文： | 徐进,雒建斌,路新春,张朝辉,潘国顺.超精密表面抛光材料去除机理研究进展[J].科学通报,2004,49(17):1700-1705. |
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| 作者姓名： | 徐进 雒建斌 路新春 张朝辉 潘国顺 |
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| 作者单位： | 清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 本工作为"973"计划项目(批准号:2003CB716201)和国家自然科学基金重大项目(批准号:50390060)资助项目. |
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| 摘 要： | 化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing, 简称 CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术, 在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用. 概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration, 简称ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头/硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现状和发展趋势, 重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制, 并提出了材料去除机理的研究方法.
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| 关 键 词： | CMP 材料去除机理 磨损 ULSI 计算机硬盘 |
| 收稿时间： | 2004-02-23 |
| 修稿时间： | 2004-06-07 |
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