| 求解p型半导体霍尔系数极值的新方法 |
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| 引用本文： | 冯文修.求解p型半导体霍尔系数极值的新方法[J].华南理工大学学报(自然科学版),1987(2). |
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| 作者姓名： | 冯文修 |
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| 作者单位： | 华南工学院物理系 |
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| 摘 要： | 本文取用新的方法,求解在过渡温度范围下p型半导体霍尔系数的极值,导出了与过去理论中的结论有所不同的极值表示式,并在新的表示式中引入了一个霍尔极值因数r_(Hm).本文还指明了应用有关结论来测定半导体中电子与空穴迁移率之比值的新途径.
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| 关 键 词： | p型半导体 磁电效应 霍尔系数极值 极值因数 |
THE NEW METHOD TO RESOLVE THE MAXIMUM OF THE HALL COEFFICIENT ABOUT P-TYPE SEMICONDUCTOR |
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| Feng Wenxiu Dep. of Physics,South China Inst. of Tech..THE NEW METHOD TO RESOLVE THE MAXIMUM OF THE HALL COEFFICIENT ABOUT P-TYPE SEMICONDUCTOR[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1987(2). |
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| Authors: | Feng Wenxiu Dep of Physics South China Inst of Tech |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | P-type semicondnctor galvanomanetic effect Hall coefficient max max factor |
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