|
|||||
|
|
| 氮化铝基板抛光工艺的正交实验研究 | |
| 作者单位： | ;1.攀枝花学院材料工程学院 |
| 摘 要： | 为解决氮化铝基板抛光工艺的问题,采用正交实验方法系统研究了抛光工艺参数、抛光液平均粒度、抛光液PH值、抛光盘转速、抛光头压力对氮化铝基板微表面粗糙度的影响规律。通过确定较佳的工艺参数,能够批量化生产出满足Al N薄膜材料的抛光基板,成品率达90%。正交实验表明,各因素对氮化铝基板微表面粗糙度的影响因素由大至小顺序为:抛光液平均粒度、抛光液PH值、抛光盘转速、抛光头压力;探索出批量化生产氮化铝抛光基板抛光工艺条件是:抛光液平均粒度为75nm、抛光液PH值为11、抛光盘转速为40RPM、抛光头压力为0.55MPa。 |
| 关 键 词： | 氮化铝 抛光 微表面粗糙度 正交实验 |
Polishing Process of Aluminum Nitride Substrate in Orthogonal Experiment |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |