|
|||||
|
|
| 300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺 | |
| 引用本文： | 童勤义,唐国洪,庄庆德,陈德英.300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺[J].东南大学学报(自然科学版),1984(4). |
| 作者姓名： | 童勤义 唐国洪 庄庆德 陈德英 |
| 作者单位： | 南京工学院无线电电子学研究所，南京工学院无线电电子学研究所，南京工学院无线电电子学研究所，南京工学院无线电电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文介绍一种与Ⅳ阱硅栅CMOS集成电路技术完全兼容的高压MOS器件的设计方法和制备工艺。这种高压MOS器件可以和CMOS逻辑电路、模拟电路集成在同一芯片上而不需任何附加工艺步骤。此种器件的闽电压为|1±0.2|V,漏击穿电压大于300V,泄漏电流小于50nA,当宽长此为115,栅偏压V_(GS)=10V时,其饱和电流大于35mA,跨导大于4000μ,而导通电阻小于600Ω。该器件在等离子显示、静电复印、场致发光、高低压开关等方面有广泛的应用。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |