300伏全兼容CMOS集成电路器件设计与工艺 |
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作者姓名: | 童勤义 唐国洪 庄庆德 陈德英 |
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作者单位: | 南京工学院无线电电子学研究所,南京工学院无线电电子学研究所,南京工学院无线电电子学研究所,南京工学院无线电电子学研究所 |
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摘 要: | 本文介绍一种与Ⅳ阱硅栅CMOS集成电路技术完全兼容的高压MOS器件的设计方法和制备工艺。这种高压MOS器件可以和CMOS逻辑电路、模拟电路集成在同一芯片上而不需任何附加工艺步骤。此种器件的闽电压为|1±0.2|V,漏击穿电压大于300V,泄漏电流小于50nA,当宽长此为115,栅偏压V_(GS)=10V时,其饱和电流大于35mA,跨导大于4000μ,而导通电阻小于600Ω。该器件在等离子显示、静电复印、场致发光、高低压开关等方面有广泛的应用。
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