| 氮化硅的光致发光 |
| |
| 引用本文： | 刘士彦,郑玉龙,甄聪棉,潘成福,侯登录.氮化硅的光致发光[J].河北师范大学学报(自然科学版),2011,35(4). |
| |
| 作者姓名： | 刘士彦 郑玉龙 甄聪棉 潘成福 侯登录 |
| |
| 作者单位： | 河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北石家庄 050016;河北省新型薄膜材料实验室,河北石家庄 050016 |
| |
| 摘 要： | 采用PECVD技术在单晶硅(100)硅片表面沉积非晶氮化硅薄膜(a-SiN.),通过改变压强,调节氮气流量制备样品,再对沉积态样品进行真空传统退火和氮气氛围快速热退火(RTP)处理.研究认为,所制备的α-SiNx薄膜(N2与SiH4流量比＞20:1)的发光机制以能隙态模型发光机制为主.反应气体流量比不变,提高总的反应气压样品的发光主峰峰位发生了蓝移,真空高温长时间退火会减弱其光致发光效应,快速短时退火有利于其发光峰的增强.
|
| 关 键 词： | PECVD 非晶氮化硅薄膜 能隙态模型 光致发光效应 |
Photoluminescence Study of Silicon Nitride Films |
| |
| LIU Shiyan,ZHENG Yulong,ZHEN Congmian,PAN Chengfu,HOU Denglu.Photoluminescence Study of Silicon Nitride Films[J].Journal of Hebei Normal University,2011,35(4). |
| |
| Authors: | LIU Shiyan ZHENG Yulong ZHEN Congmian PAN Chengfu HOU Denglu |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
