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Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性
引用本文:罗向东,戴兵,孙炳华.Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性[J].南通大学学报(自然科学版),2005,4(1):1-10.
作者姓名:罗向东  戴兵  孙炳华
作者单位:南通大学,理学院,江苏,南通,226007;南通大学,理学院,江苏,南通,226007;南通大学,理学院,江苏,南通,226007
基金项目:江苏省自然科学基金(BK2004403)
摘    要:文章详细总结了近十年来人们对于Ga(In)NAs材料体系的理论和实验研究;从典型实验出发,分析了应用于Ga(In)NAs材料的四个理论模型以及它们的成功与不足;同时,通过对研究工作的总结与分析进一步阐述了Ga(In)NAs材料的异常能带结构和光学性质,并从实验结果分析现有理论的优点和不足,提出了进一步研究的方向。

关 键 词:Ga(In)Nas  能带结构  光学性质
文章编号:1671-5314(2005)01-0001-10

Abnormal Band Structure and Optical Properties of Ga(In)NAs
Authors:LUO Xiang-dong  DAI Bing  SUN Bing-hua
Abstract:
Keywords:Ga(In)NAs  band structure  optical property
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