Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性 |
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引用本文: | 罗向东,戴兵,孙炳华.Ga(In)NAs材料的异常能带结构与光学特性[J].南通大学学报(自然科学版),2005,4(1):1-10. |
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作者姓名: | 罗向东 戴兵 孙炳华 |
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作者单位: | 南通大学,理学院,江苏,南通,226007;南通大学,理学院,江苏,南通,226007;南通大学,理学院,江苏,南通,226007 |
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基金项目: | 江苏省自然科学基金(BK2004403) |
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摘 要: | 文章详细总结了近十年来人们对于Ga(In)NAs材料体系的理论和实验研究;从典型实验出发,分析了应用于Ga(In)NAs材料的四个理论模型以及它们的成功与不足;同时,通过对研究工作的总结与分析进一步阐述了Ga(In)NAs材料的异常能带结构和光学性质,并从实验结果分析现有理论的优点和不足,提出了进一步研究的方向。
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关 键 词: | Ga(In)Nas 能带结构 光学性质 |
文章编号: | 1671-5314(2005)01-0001-10 |
Abnormal Band Structure and Optical Properties of Ga(In)NAs |
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Authors: | LUO Xiang-dong DAI Bing SUN Bing-hua |
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Abstract: | |
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Keywords: | Ga(In)NAs band structure optical property |
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