| 红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态 |
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| 引用本文： | 赵寿南,潘永雄.红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态[J].华南理工大学学报(自然科学版),1993,21(2):16-22. |
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| 作者姓名： | 赵寿南 潘永雄 |
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| 作者单位： | 华南理工大学应用物理系，华南理工大学应用物理系 |
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| 摘 要： | 本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。
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| 关 键 词： | 硅晶片 主应力 光弹性 三向进光法 |
STUDY OF STRESS STATE IN SILICON WAFER BY THREE-DIRECTION OBSERVATION OF INFRARED PHOTOELASTICITY |
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| Zhao Shounan,Pan Yongxiong Dept.of Applied Physics,South China Univ.of Tech..STUDY OF STRESS STATE IN SILICON WAFER BY THREE-DIRECTION OBSERVATION OF INFRARED PHOTOELASTICITY[J].Journal of South China University of Technology(Natural Science Edition),1993,21(2):16-22. |
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| Authors: | Zhao Shounan Pan Yongxiong Deptof Applied Physics South China Univof Tech |
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| Keywords: | silicon wafers principal stress photoelasticity/three-direction observaion method |
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