| EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度 |
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| 引用本文： | 李永良,杨锡震,周艳,王亚非. EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2001, 2(1): 62-65 |
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| 作者姓名： | 李永良 杨锡震 周艳 王亚非 |
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| 作者单位： | 北京师范大学分析测试中心，100875，北京 |
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| 基金项目： | 国家科技部基金预研项目 |
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| 摘 要： | 应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描，得出电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线，给出一简单模型，对GaP样品n区的EBIC线型进行计算，拟合实验曲线，得出少子扩散长度和表面复合速度。
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| 关 键 词： | 少子扩散长度 表面合速度 电子束感生电流 半导体材料 磷化钙 p－n结 测定 EBIC线型 |
| 修稿时间： | 2000-08-26 |
A METHOD FOR THE EXTRACTION OF DIFFUSION LENGTH AND SURFACE RECOMBINATION VELOCITY OF GaP FROM EBIC LINE SCAN |
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| Li Yongliang Yang Xizhen Zhou Yan Wang Yafei. A METHOD FOR THE EXTRACTION OF DIFFUSION LENGTH AND SURFACE RECOMBINATION VELOCITY OF GaP FROM EBIC LINE SCAN[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2001, 2(1): 62-65 |
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| Authors: | Li Yongliang Yang Xizhen Zhou Yan Wang Yafei |
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| Abstract: | A new method is proposed for determining the bulk minority carrier diffusion length and surface recombination velocity. Moreover, the electron beam induced current (EBIC) profile in which the p n junction is parallel to the electron beam is obtained using SEM. A simple model is used to calculate the EBIC profile and to fit with the experiment data, then the diffusion length and surface recombination velocity are obtained. |
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| Keywords: | GaP diffusion length surface recombination velocity electron beam induced current |
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