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平面耦合系数K_p≥70%,介电常数ε_(33)~T/ε_0≥3200的压电陶瓷材斜的研究
引用本文:物理系压电铁电物理教研室材料组.平面耦合系数K_p≥70%,介电常数ε_(33)~T/ε_0≥3200的压电陶瓷材斜的研究[J].山东大学学报(理学版),1975(1).
作者姓名:物理系压电铁电物理教研室材料组
摘    要:为提高压电送、受话器性能,需要提高压电陶瓷材料的平面耦合系数k_p及介电常数ε_(33)~T/ε_0。铌镁—锆—钛铝铅三元系陶瓷材料,有高介电常数的特点,在相界附近,选取适当组分,用取代元素及添加元素进行改性,能同时达到提高平面耦合系数k_p及介电常数ε_(33)~T/ε_0的目的。在铌镁—锆—钛铅三元系里,用二氧化硅(SiO_2)作添加物,钡(Ba),锶(Sr)为取代元素,对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_0.25Ti_0.10Zr_0.35O_3

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