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| 场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算 | |
| 引用本文： | 李晋闽.场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极时间响应的计算[J].科学通报,1992,37(7):598-598. |
| 作者姓名： | 李晋闽 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所，中国科学院西安光学精密机械研究所 西安 710068 中国科学院半导体研究所，西安 710068，西安 710068 |
| 摘 要： | 一、引言 场助Ⅲ—Ⅴ族多元化合物半导体光电阴极与GaAs NEA(Negative electron affinity)光电阴极相比,具有可延伸光电探测的长波阈值、提高红外波段光谱灵敏度等优点,因此在光纤通信、微光夜视以及高速摄影等方面具有广泛的应用。虽然目前场助多元化合物半导体光电阴极的研究已取得了许多成果,但有关理论研究方面的报道却很少见,特别是判别多元化 |
| 关 键 词： | 半导体 光电阴极 异质结 时间响应 |
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