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| 高离化态Si泊束箔光谱的理论分析 | |
| 作者姓名： | 符彦飙 王友德 |
| 作者单位： | [1]西北师范大学物理系 [2]中国科学院近代物理研究所 |
| 摘 要： | 用ＨＸＢ方法了Ｓｉ离子高离化态束光谱的跃迁波长、振子强度、跃迁几率以及能级寿命等，对不同束流能量入射下的Ｓｉ离子谱进行具体分析，并将部分计算结果与有关文献中的值做了比较。 |
| 关 键 词： | 振子强度 束箔光谱 高离化态离子 硅离子 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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