高离化态Si泊束箔光谱的理论分析 |
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引用本文: | 符彦飙,王友德.高离化态Si泊束箔光谱的理论分析[J].西北师范大学学报,1999,35(3):51-55. |
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作者姓名: | 符彦飙 王友德 |
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作者单位: | [1]西北师范大学物理系 [2]中国科学院近代物理研究所 |
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摘 要: | 用HXB方法了Si离子高离化态束光谱的跃迁波长、振子强度、跃迁几率以及能级寿命等,对不同束流能量入射下的Si离子谱进行具体分析,并将部分计算结果与有关文献中的值做了比较。
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关 键 词: | 振子强度 束箔光谱 高离化态离子 硅离子 |
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