| Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响 |
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| 引用本文： | 于广华,李明华,朱逢吾,柴春林,姜宏伟,赖武彦.Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中Cu的层间偏聚及其对磁性的影响[J].中国科学(E辑),2003,33(9):778-782. |
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| 作者姓名： | 于广华 李明华 朱逢吾 柴春林 姜宏伟 赖武彦 |
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| 作者单位： | 1. 北京科技大学材料物理系,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
3. 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:19890310) |
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| 摘 要： | 实验结果表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场Hex要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex. 为了寻找其原因, 用X射线光电子能谱(XPS)研究了Ta(12 nm)/NiFe(7 nm), Ta(12 nm)/NiFe(7 nm)/Cu(4 nm)和Ta(12 nm)/NiFe(7 nm)/Cu(3 nm)/NiFe(5 nm) 3种样品, 研究结果表明前两种样品表面无任何来自下层的元素偏聚, 但在第3种样品最上层的NiFe表面上, 探测到从下层偏聚上来的Cu原子. 认为: Cu在NiFe/FeMn层间的存在是Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜的Hex低于Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜Hex的一个重要原因.
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| 关 键 词： | NiFe/Cu/NiFe/FeMn 层间偏聚 交换耦合场Hex X射线光电子能谱 NiFe/FeMn |
| 收稿时间： | 2001-02-23 |
| 修稿时间： | 2001-07-09 |
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