| 退火对氧化铟镓薄膜晶体管电学特性的影响 |
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| 引用本文： | 赵铭杰,吴天雨,许英朝,徐代升,张继艳.退火对氧化铟镓薄膜晶体管电学特性的影响[J].厦门理工学院学报,2019,27(1). |
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| 作者姓名： | 赵铭杰 吴天雨 许英朝 徐代升 张继艳 |
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| 作者单位： | 福建省光电技术与器件重点实验室, 福建 厦门361024;福建省高校光电技术重点实验室, 福建 厦门361024;福建省光电技术与器件重点实验室, 福建 厦门361024;福建省高校光电技术重点实验室, 福建 厦门361024;福建省光电技术与器件重点实验室, 福建 厦门361024;福建省高校光电技术重点实验室, 福建 厦门361024;福建省光电技术与器件重点实验室, 福建 厦门361024;福建省高校光电技术重点实验室, 福建 厦门361024;福建省光电技术与器件重点实验室, 福建 厦门361024;福建省高校光电技术重点实验室, 福建 厦门361024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;福建省中青年教师教育科研项目;厦门市科技计划;福建省教育厅科技项目;福建省科技计划引导性项目;实验室开放基金;厦门理工学院高层次人才项目 |
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| 摘 要： | 研究不同气氛中退火的氧化铟镓薄膜晶体管电学性能随退火温度的变化,并采用霍尔效应测试分析氧化铟镓的载流子浓度(N_c)和迁移率(μ_H)的变化规律,探讨深层次原因。结果表明:退火处理后器件的饱和区场效应迁移率μ_(sat)由1.0 cm~2·(V·s)~(-1)升高至最高12.0 cm~2·(V·s)~(-1),亚阈值摆幅由0.58 V·dec~(-1)(dec代表10倍频程)降至最低0.19 V·dec~(-1),迟滞现象减弱,但阈值电压(V_(th))负向漂移甚至导致器件无法关断;高氧气氛退火可抑制V_(th)负向漂移。此外,N_c和μ_H均随退火温度升高而升高;高氧气氛退火可抑制N_c,这可能与氧在薄膜表面吸附,从而修复氧空位有关;氧气退火能更好地修复薄膜中的缺陷。
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| 关 键 词： | 薄膜晶体管 氧化铟镓 退火 霍尔效应 |
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