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Si(100)衬底上取向生长La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜
引用本文:梁宝龙,张丽,赵昆.Si(100)衬底上取向生长La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜[J].聊城大学学报(自然科学版),2005,18(2):29-30.
作者姓名:梁宝龙  张丽  赵昆
作者单位:聊城大学,物理科学与信息工程学院,山东,聊城,252059;聊城大学,山东,聊城,252059
基金项目:山东省教育厅科技攻关计划(03A05);国家自然科学基金(50371102)资助课题
摘    要:利用对向靶磁控溅射方法在Φ60 mm Si(100)衬底上得到了择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(110)薄膜.当沉积温度为500℃时,在40 nm缓冲层SrMnO3上,La0.8Sr0.2MnO3薄膜沿(110)取向生长.提高沉积温度到750℃时,厚度为12 nm的SrMnO3缓冲层就可以实现La0.8Sr0.2MnO3薄膜的(110)取向择优生长.

关 键 词:薄膜  缓冲层  取向生长
文章编号:1672-6634(2005)02-0029-02
修稿时间:2005年1月25日

La0.8Sr0.2MnO3(110) Thin Films Grown on Si (100) Substrate
LIANG Bao-long,ZHANG Li,ZHAO Kun.La0.8Sr0.2MnO3(110) Thin Films Grown on Si (100) Substrate[J].Journal of Liaocheng University:Natural Science Edition,2005,18(2):29-30.
Authors:LIANG Bao-long  ZHANG Li  ZHAO Kun
Institution:LIANG Bao-long 1) ZHANG Li 2) ZHAO Kun 1)
Abstract:
Keywords:thin film  buffer layers  preferential orientation
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