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多孔硅在射频/微波电路中的研究进展
引用本文:龙永福,郭杰荣,胡惟文. 多孔硅在射频/微波电路中的研究进展[J]. 湖南文理学院学报(自然科学版), 2005, 17(3): 20-22,28
作者姓名:龙永福  郭杰荣  胡惟文
作者单位:湖南文理学院,物理与电子科学系,湖南,常德,415000;湖南文理学院,物理与电子科学系,湖南,常德,415000;湖南文理学院,物理与电子科学系,湖南,常德,415000
基金项目:湖南省自然科学基金 , 湖南省高校青年骨干教师培养基金
摘    要:多孔硅介质膜在射频/微波电路中具有很好的应用前景. 阐述了多孔硅作介质膜的优点,比较研究了不同厚度的多孔硅厚膜上平面电感器的性能参数比较和不同介质膜上螺旋电感性能比较,介绍了多孔硅在射频/微波电路的研究进展,并对存在的主要问题作了讨论.

关 键 词:多孔硅  硅衬底  射频/微波电路
文章编号:1672-6146(2005)03-0020-03
收稿时间:2004-12-14
修稿时间:2004-12-14

Recent Progress of Research on Porous Silicon in RF/Microwave Integrated Circuits
LONG Yong-fu,GUO Jie-rong,HU Wei-wen. Recent Progress of Research on Porous Silicon in RF/Microwave Integrated Circuits[J]. Journal of Hunan University of Arts and Science:Natural Science Edition, 2005, 17(3): 20-22,28
Authors:LONG Yong-fu  GUO Jie-rong  HU Wei-wen
Abstract:The prospect of porous silicon (PS) used as inter-layers in RF/Microwave integrated circuits is very attracting. The advantages of PS used as inter-layers are reviewed, the Comparison of implementations of planar inductors on porous silicon inter-layers and spiral inductors on different inter-layers are analyzed, and the research program of PS is briefly introduced, also some discussions are given for the main questions.
Keywords:Porous silicon (PS)  Silicon substrate  RF/Microwave IC
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