| 提拉法生长大直径白宝石单晶 |
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| 引用本文： | 曾晓兰.提拉法生长大直径白宝石单晶[J].四川师范大学学报(自然科学版),1999,22(4):433-437. |
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| 作者姓名： | 曾晓兰 |
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| 作者单位： | 四川师范大学固体物理所,四川,成都,610066 |
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| 摘 要： | 探讨了电阻炉提拉法生长白宝石单晶过程中，固体和液体中温度梯度与生长速率和晶体应力的关系．对生长系统和工艺作出相应的调整、改进．实验中摸索出了生长Φ＞４０ｍｍ的白宝石单晶的工艺
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| 关 键 词： | 提拉法 白宝石单晶 温度梯度 应力 |
| 文章编号： | 1001-8395（1999）04-0433-05 |
| 修稿时间： | :1999-05-1 |
Growing Large Diameter Sapphire with Czochralski Method |
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| ZENG Xiao-lan.Growing Large Diameter Sapphire with Czochralski Method[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),1999,22(4):433-437. |
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| Authors: | ZENG Xiao-lan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Czochralski method Sapphire crystal Temperature gradient Stress |
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