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| 多孔硅表面Si-OH结构的研究 | |
| 引用本文： | 周明秀,杨春,郁卫飞,李金山.多孔硅表面Si-OH结构的研究[J].四川师范大学学报(自然科学版),2006,29(4):455-459. |
| 作者姓名： | 周明秀 杨春 郁卫飞 李金山 |
| 作者单位： | 1. 四川师范大学,计算机软件重点实验室,四川,成都,610066;四川师范大学,物理与电子工程学院·固体所,四川,成都,610066 2. 四川师范大学,计算机软件重点实验室,四川,成都,610066 3. 中国工程物理研究院,化工材料研究院,四川,绵阳,621000 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);四川省应用基础研究计划 |
| 摘 要： | 建立了2×1的表面为Si-OH结构的多孔硅(Porous Silicon,PS)模型,在周期性边界条件下的K空间中,采用基于密度泛函理论广义梯度近似的平面波超软赝势方法,对Si-OH结构进行几何结构与电子结构的计算研究.通过分析优化后稳定的Si-OH结构,从理论上证实多孔硅的结构是完全不规则的,表面结构中两类Si-O键长值分别介于0.161-0.163 nm之间和0.168-0.170 nm之间,两类O-H键长值分别为0.097 nm和0.098-0.100 nm,角∠Si-O-H的值主要分布在109.0°-116.3°之间,角∠O-Si-O的值主要分布在96.2°-98.5°之间;最后通过电子局域函数ELF图分析了表面成键与表面电子分布特性. |
| 关 键 词： | 多孔硅(PS) 密度泛函 表面结构 电子密度 |
| 文章编号： | 1001-8395（2006）04-0455-05 |
| 收稿时间： | 2005-08-10 |
| 修稿时间： | 2005年8月10日 |
Study on Si-OH Structure of PS Surface |
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| ZHOU Ming-xiu,YANG Chun,YU Wei-fei,LI Jin-shan.Study on Si-OH Structure of PS Surface[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2006,29(4):455-459. | |
| Authors: | ZHOU Ming-xiu YANG Chun YU Wei-fei LI Jin-shan |
| Abstract: | |
| Keywords: | Si-OH |
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